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| https://www.monotaro.com/p/4926/0813/ | 2026/07/12 03:02:52 |
 | INFINEON Infineon Pチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：4.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧：20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：95 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.1V●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V●パッケージタイプ：SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1.3 W●標準ターンオフ遅延時間：34 ns●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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