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仕様：
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チャンネルタイプ：P 、 最大連続ドレイン電流：40 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：13.4 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：1.9V 、 最低ゲートしきい値電圧：3.1V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V 、 パッケージタイプ：TSDSON 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：8 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：69 W 、 標準ターンオフ遅延時間：35 ns 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS(TM) PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
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