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| https://www.monotaro.com/p/4926/1005/ | 2026/05/23 23:58:30 |
 | INFINEON Infineon Pチャンネル パワーMOSFET |
5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は999円となります。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧：20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：53 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.1V●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V●パッケージタイプ：PQFN●実装タイプ：表面実装●ピン数：6●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：9.6 W●シリーズ：HEXFET●NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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