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2026/07/12 03:57:50

IRLHS2242TRPBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49261014

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

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注文コード	49261014
品番	IRLHS2242TRPBF
内容量	1リール(4000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥81,980

仕様:	チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：7.2 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：20 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：53 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：1.1V 、最低ゲートしきい値電圧：0.4V 、最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V 、パッケージタイプ：PQFN 、実装タイプ：表面実装、ピン数：6 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：9.6 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：7.2 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：20 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：53 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：1.1V 、最低ゲートしきい値電圧：0.4V 、最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V 、パッケージタイプ：PQFN 、実装タイプ：表面実装、ピン数：6 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：9.6 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応):

対応