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| https://www.monotaro.com/p/4926/1014/ | 2026/05/24 08:12:24 |
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INFINEON
Infineon Pチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様： | チャンネルタイプ：P 、 最大連続ドレイン電流：7.2 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：53 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：1.1V 、 最低ゲートしきい値電圧：0.4V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V 、 パッケージタイプ：PQFN 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：6 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：9.6 W 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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