| 仕様: | チャンネルタイプ：P 、 最大連続ドレイン電流：80 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：7.7 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：4V 、 最低ゲートしきい値電圧：2V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 、 実装タイプ：表面実装 、 トランジスタ構成：シングル 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：88 W 、 標準ターンオフ遅延時間：34 ns 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS(TM) PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲 |
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