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仕様：
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チャンネルタイプ：P 、 最大連続ドレイン電流：1.18 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：280 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：0.6V 、 最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V 、 パッケージタイプ：SOT-23 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：3 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：小信号 、 最大パワー消費：500 mW 、 標準ターンオン遅延時間：6.7 ns 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS(TM) PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
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