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| https://www.monotaro.com/p/4926/1529/ | 2026/10/03 16:38:58 |
 | INFINEON Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：P 、 最大連続ドレイン電流：1.9 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：4V 、 最低ゲートしきい値電圧：2.1V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：3+Tab 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：小信号 、 最大パワー消費：1.8 W 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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