Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4926/1574/

2026/05/24 16:48:40

SPD15P10PGBTMA1 Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET INFINEON 49261574

INFINEON
Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49261574
品番	SPD15P10PGBTMA1
内容量	1リール(2500個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：15 A●最大ドレイン-ソース間電圧：100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：240 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：128 W●標準ターンオフ遅延時間：33 ns●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応

仕様：

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：15 A●最大ドレイン-ソース間電圧：100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：240 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：128 W●標準ターンオフ遅延時間：33 ns●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応