Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4926/1583/

2026/05/22 11:03:07

SPD15P10PGBTMA1 Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET INFINEON 49261583

INFINEON
Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49261583
品番	SPD15P10PGBTMA1
内容量	1袋(20個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：15 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：240 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：4V 、最低ゲートしきい値電圧：2.1V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 、実装タイプ：表面実装、ピン数：3 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：小信号、最大パワー消費：128 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応

仕様：

チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：15 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：240 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：4V 、最低ゲートしきい値電圧：2.1V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 、実装タイプ：表面実装、ピン数：3 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：小信号、最大パワー消費：128 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応