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2026/07/06 03:45:12

IDH08G120C5XKSA1 Infineon ショットキーバリアダイオード INFINEON 49262274

INFINEON
Infineon ショットキーバリアダイオード

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注文コード	49262274
品番	IDH08G120C5XKSA1
内容量	1個
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥629

仕様:	ダイオード構成：シングル、 1チップ当たりのエレメント数：1 、ピーク逆繰返し電圧：1200V 、実装タイプ：スルーホール、パッケージタイプ：TO-220 、ダイオードテクノロジー：SiCショットキー、ピン数：2+Tab 、最大順方向降下電圧：2.85V 、長さ：10.2mm 、幅：4.5mm 、高さ：15.95mm 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 thinQ! シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード、Infineon. Infineon thinQ!(TM)第5世代は、SiCショットキーバリアダイオードに新しい薄型ウエハーテクノロジーを採用し、熱特性を改良しています。SiCショットキーダイオードデバイスは、より優れた効率レベルを実現する高い破壊電界強度や熱伝導性など、高電圧パワー半導体向けの機能を備えています。この最新世代は、通信用SMPS、ハイエンドサーバー、UPSシステム、モータドライブ、ソーラーインバータ、PCシルバーボックス、照明用途などに適しています。EMIの軽減
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

ダイオード構成：シングル、 1チップ当たりのエレメント数：1 、ピーク逆繰返し電圧：1200V 、実装タイプ：スルーホール、パッケージタイプ：TO-220 、ダイオードテクノロジー：SiCショットキー、ピン数：2+Tab 、最大順方向降下電圧：2.85V 、長さ：10.2mm 、幅：4.5mm 、高さ：15.95mm 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 thinQ! シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード、Infineon. Infineon thinQ!(TM)第5世代は、SiCショットキーバリアダイオードに新しい薄型ウエハーテクノロジーを採用し、熱特性を改良しています。SiCショットキーダイオードデバイスは、より優れた効率レベルを実現する高い破壊電界強度や熱伝導性など、高電圧パワー半導体向けの機能を備えています。この最新世代は、通信用SMPS、ハイエンドサーバー、UPSシステム、モータドライブ、ソーラーインバータ、PCシルバーボックス、照明用途などに適しています。EMIの軽減

RoHS指令(10物質対応):

対応