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| https://www.monotaro.com/p/4926/2353/ | 2026/07/06 03:47:45 |
 | INFINEON Infineon ショットキーバリアダイオード |
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| 仕様: | ダイオード構成：シングル 1チップ当たりのエレメント数：1 ピーク逆繰返し電圧：1200V 実装タイプ：スルーホール パッケージタイプ：TO-220 ダイオードテクノロジー：SiCショットキー ピン数：2+Tab 最大順方向降下電圧：2.6V 長さ：10.2mm 幅：4.5mm 高さ：15.95mm 動作温度 Min：-55 、 thinQ! シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード、Infineon. Infineon thinQ!?第5世代は、SiCショットキーバリアダイオードに新しい薄型ウエハーテクノロジーを採用し、熱特性を改良しています。SiCショットキーダイオードデバイスは、より優れた効率レベルを実現する高い破壊電界強度や熱伝導性など、高電圧パワー半導体向けの機能を備えています。この最新世代は、通信用SMPS、ハイエンドサーバー、UPSシステム、モータドライブ、ソーラーインバータ、PCシルバーボックス、照明用途などに適しています。. EMIの軽減 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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