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| https://www.monotaro.com/p/4926/3403/ | 2026/06/21 17:15:24 |
 | INFINEON Infineon デュアル Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：4.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：80 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2 W●トランジスタ素材：Si●デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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