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2026/06/21 21:24:26

IRL6372TRPBF Infineon デュアル NチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49263534

INFINEON
Infineon デュアル NチャンネルパワーMOSFET

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注文コード	49263534
品番	IRL6372TRPBF
内容量	1袋(25個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,998

仕様:	チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：8.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：23 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.1V●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2 W●標準ターンオン遅延時間：5.9 ns●デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：8.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：23 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.1V●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2 W●標準ターンオン遅延時間：5.9 ns●デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。

RoHS指令(10物質対応):

対応