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| https://www.monotaro.com/p/4926/3577/ | 2026/06/21 22:53:57 |
 | INFINEON Infineon デュアル Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：9.1 A、11 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：13.7 mΩ， 20.5 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：2.35V 、 最低ゲートしきい値電圧：1.35V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SOIC 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：8 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：2 W 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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