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2026/06/21 18:53:30

IRF7907TRPBF Infineon デュアル NチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49263586

INFINEON
Infineon デュアル NチャンネルパワーMOSFET

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注文コード	49263586
品番	IRF7907TRPBF
内容量	1リール(4000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥339,800

仕様:	チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：9.1 A、11 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：13.7 mΩ， 20.5 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2.35V 、最低ゲートしきい値電圧：1.35V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：SOIC 、実装タイプ：表面実装、ピン数：8 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：2 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：9.1 A、11 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：13.7 mΩ， 20.5 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2.35V 、最低ゲートしきい値電圧：1.35V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：SOIC 、実装タイプ：表面実装、ピン数：8 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：2 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。

RoHS指令(10物質対応):

対応