| 仕様: | チャンネルタイプ：P 最大連続ドレイン電流：2 、 最大ドレイン-ソース間電圧：30 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：1V 最低ゲートしきい値電圧：2V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 、 パッケージタイプ：TSOP 実装タイプ：表面実装 トランジスタ構成：絶縁型 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費：500 mW 標準ゲートチャージ Vgs：5 nC 10 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOS(TM)ET. Infineon OptiMOS(TM)PチャンネルパワーMOS(TM)ETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。. 強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 +175 ℃の温度範囲 |
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