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仕様：
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チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：10 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1000 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：1.2 Ω、最大ゲートしきい値電圧：6.5V、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V、パッケージタイプ：ISOPLUS247、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：400 W、標準ターンオン遅延時間：28 ns、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Q3シリーズ. IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。 高速真性整流器 低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 低真性ゲート抵抗 産業用の標準パッケージ 低パッケージインダクタンス 高電力密度
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