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仕様：
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チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：100 A●最大ドレイン-ソース間電圧：650 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：30 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：5V●最低ゲートしきい値電圧：2.7V●最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V●パッケージタイプ：TO-264P●実装タイプ：スルーホール●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1.04 kW●寸法：20.3 26.3 5.3mm●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) X2シリーズ. IXYS X2クラスHiPerFET(TM)ワーMOSFETシリーズは、以前の世代のパワーMOSFETと比べると、抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えているので、損失量が低下し、操作効率が向上します。 これらの頑丈なデバイスは強化された高速真性ダイオードを実装しており、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC DCモータドライブ、スイッチモード 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 照明制御があります。. 超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 高速真性整流器 低真性ゲート抵抗 低パッケージインダクタンス 産業用の標準パッケージ
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