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仕様：
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チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：100 、 最大ドレイン-ソース間電圧：650 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.03 、 最大ゲートしきい値電圧：5V 最低ゲートしきい値電圧：2.7V 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 、 パッケージタイプ：TO-264P 実装タイプ：スルーホール ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：1.04 kW 動作温度 Max：+150 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) X2シリーズ. IXYS X2クラスHiPerFET(TM)ワーMOSFETシリーズは、以前の世代のパワーMOSFETと比べると、抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えているので、損失量が低下し、操作効率が向上します。 これらの頑丈なデバイスは強化された高速真性ダイオードを実装しており、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC DCモータドライブ、スイッチモード 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 照明制御があります。. 超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 高速真性整流器 低真性ゲート抵抗 低パッケージインダクタンス 産業用の標準パッケージ
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