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| https://www.monotaro.com/p/4930/1849/ | 2026/05/08 23:34:02 |
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IXYS
IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様： | チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：170 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：13 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：5V 、 最低ゲートしきい値電圧：3.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧：±30 V 、 パッケージタイプ：SOT227 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：4 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：1.17 kW 、 動作温度 Min：-55 ℃ |
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| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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