 | |
| https://www.monotaro.com/p/4930/2043/ | 2026/11/07 02:53:48 |
 | IXYS IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
|
|
| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：22 A●最大ドレイン-ソース間電圧：1000 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：600 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：5.5V●最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V●パッケージタイプ：SOT-227B●実装タイプ：パネルマウント●ピン数：4●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：700 W●トランジスタ素材：Si●NチャンネルパワーMOSFET、IXYSリニアシリーズ. NチャンネルパワーMOSFETは、リニア動作に特化した設計になっています。このデバイスは、順方向バイアス安全動作領域(FBSOA)の拡張によって耐久性及び信頼性が高まっています。 |
|---|---|
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| Copyright 2000-2026 MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO（ものたろう） |