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| https://www.monotaro.com/p/4930/2235/ | 2026/11/06 20:10:49 |
 | IXYS IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：26 A●最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：460 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：6.5V●最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V●パッケージタイプ：TO-264●実装タイプ：スルーホール●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：960 W●トランジスタ素材：Si●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM)) |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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