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| https://www.monotaro.com/p/4930/2619/ | 2026/05/27 18:51:32 |
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IXYS
IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
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在庫数量:残り4点
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:360 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:2.6 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4.5V●最低ゲートしきい値電圧:2.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-227●実装タイプ:表面実装●ピン数:4●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:830 W●標準ターンオフ遅延時間:80 ns●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) GigaMOS(TM)シリーズ |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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