|
仕様：
|
チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：4 A●最大ドレイン-ソース間電圧：650 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：0.55 Ω●最大ゲートしきい値電圧：5V●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V●パッケージタイプ：TO-220F●実装タイプ：スルーホール●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：32 W●1チップ当たりのエレメント数：1●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ. IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。. 超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 真性整流ダイオード 低真性ゲート抵抗 低パッケージインダクタンス 産業用の標準パッケージ
|
