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| https://www.monotaro.com/p/4930/2725/ | 2026/11/08 18:12:15 |
![]() | IXYS IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:40 A、最大ドレイン-ソース間電圧:600 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:140 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:5.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V、パッケージタイプ:SOT-227B、実装タイプ:パネルマウント、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:625 W、長さ:38.23mm、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM)) |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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