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| https://www.monotaro.com/p/4930/2944/ | 2026/11/07 04:08:40 |
![]() | IXYS IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:46 A●最大ドレイン-ソース間電圧:500 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:160 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:6V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:SOT-227B●実装タイプ:パネルマウント●ピン数:4●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:700000 mW●標準ターンオフ遅延時間:80 ns●NチャンネルパワーMOSFET、IXYSリニアシリーズ. NチャンネルパワーMOSFETは、リニア動作に特化した設計になっています。このデバイスは、順方向バイアス安全動作領域(FBSOA)の拡張によって耐久性及び信頼性が高まっています。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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