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| https://www.monotaro.com/p/4930/2996/ | 2026/06/21 15:56:00 |
![]() | IXYS IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:50 A●最大ドレイン-ソース間電圧:200 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:60 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:5.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:TO-220●実装タイプ:スルーホール●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:360000 mW●標準ターンオフ遅延時間:70 ns●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM)) |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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