 | |
| https://www.monotaro.com/p/4930/3206/ | 2026/11/07 01:51:55 |
 | IXYS IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
|
|
| 仕様: | チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：600 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.3 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：3.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SMPD 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：24 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：830 W 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM)GigaMOS(TM)シリーズ |
|---|---|
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| Copyright 2000-2026 MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO（ものたろう） |