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| https://www.monotaro.com/p/4930/3373/ | 2026/06/21 21:23:43 |
![]() | IXYS IXYS Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:64 A●最大ドレイン-ソース間電圧:600 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:95 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:5V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:TO-264●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.13 kW●1チップ当たりのエレメント数:1●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) Polar3(TM)シリーズ. IXYS Polar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM)) |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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