製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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IXYS NチャンネルパワーMOSFET

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内容量1セット(30個) 仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：70 A、最大ドレイン-ソース間電圧：200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：40 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：6.5V、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：690 W、1チップ当たりのエレメント数：1、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Q3シリーズ. IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。高速真性整流器低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度注文コード49303504 品番IXFH70N20Q3

11月1日より値下げいたしました。

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥51,678

販売価格(税別)

￥46,980

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仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：70 A、最大ドレイン-ソース間電圧：200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：40 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：6.5V、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：690 W、1チップ当たりのエレメント数：1、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Q3シリーズ. IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。高速真性整流器低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度 RoHS指令(10物質対応)対応

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

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