製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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IXYS NチャンネルパワーMOSFET

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内容量1セット(10個) 仕様チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：76 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：650 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：30 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：5V 、最低ゲートしきい値電圧：3V 、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V 、パッケージタイプ：SOT-227B 、実装タイプ：表面実装、ピン数：4 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：595 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ. IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。. 超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 真性整流ダイオード低真性ゲート抵抗低パッケージインダクタンス産業用の標準パッケージ注文コード49303556 品番IXTN102N65X2

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥54,978

販売価格(税別)

￥49,980

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仕様チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：76 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：650 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：30 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：5V 、最低ゲートしきい値電圧：3V 、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V 、パッケージタイプ：SOT-227B 、実装タイプ：表面実装、ピン数：4 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：595 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ. IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。. 超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 真性整流ダイオード低真性ゲート抵抗低パッケージインダクタンス産業用の標準パッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
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