| 仕様: | チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：76 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：30 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：5V 、 最低ゲートしきい値電圧：3V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V 、 パッケージタイプ：SOT-227B 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：4 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：595 W 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ. IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。. 超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 真性整流ダイオード 低真性ゲート抵抗 低パッケージインダクタンス 産業用の標準パッケージ |
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