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| https://www.monotaro.com/p/4944/8833/ | 2026/05/10 02:21:26 |
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LITE-ON
Lite-On フォトカプラ IGBT MOSFET出力 |
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| 仕様: | 実装タイプ:表面実装●出力デバイス:IGBT, MOSFET●最大順方向電圧:1.8V●チャンネル数:1●ピン数:8●パッケージタイプ:DIP●入力電流タイプ:DC●標準上昇時間:42 (Output) ns, 500 (Input) ns●最大入力電流:25 mA●絶縁電圧:5 kVrms●論理出力:あり●標準降下時間:50 (Output) ns, 500 (Input) ns●特殊機能:ピーク出力電流: 1 A, AIGaAs LED光結合, モータ制御インバータ電源システム●ゲートドライブオプトカプラ、Lite-On. MOSFET及びIGBTゲートドライブ用途に特化されて設計されている、Lite-Onのオプトカプラです。この集積デバイスには、最大定格1200 V、50 AでほとんどのMOSFET及びIGBTを直接駆動できるプッシュプル出力段が含まれます。主な用途には、モーター制御、電源システムインバータの駆動などがあります。. 最小ピーク出力電流: 0.8 A レールツーレール出力電圧スイング 絶縁定格: 5000 V RMS |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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