| 仕様: | チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：230 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：7.5 Ω 、 最大ゲートしきい値電圧：2.5V 、 最低ゲートしきい値電圧：1V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V 、 パッケージタイプ：TO-92 、 実装タイプ：スルーホール 、 トランジスタ構成：シングル 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：1 W 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 2N7008 NチャンネルMOSFETトランジスタ. Microchip 2N7008は、強化モード(通常オフ)トランジスタで、垂直型DMOSの構造を採用しています。 この製品は、バイポーラトランジスタの対応電力容量、及びMOSデバイスの高入力インピーダンスと正の温度係数を組み合わせた設計になっています。. 特長. 2次降伏なし 低駆動電力要件 並列動作が簡単 低C ISS 及び高速なスイッチング速度 優れた熱安定性 ソース-ドレインダイオードを内蔵 高入力インピーダンス及び高ゲイン |
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