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| https://www.monotaro.com/p/4965/2707/ | 2026/05/26 15:09:45 |
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nexperia
Nexperia N Pチャンネル トレンチ型 MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:200 mA, 350 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:1.4 Ω、4.1 Ω●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.6V●最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V●パッケージタイプ:SOT-363 (SC-88)●実装タイプ:表面実装●ピン数:6●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:トレンチMOSFET●最大パワー消費:990 mW●標準ターンオフ遅延時間:65 ns, 69 ns●デュアルN / PチャンネルMOSFET、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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