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| https://www.monotaro.com/p/4965/2707/ | 2026/07/17 20:44:49 |
 | nexperia Nexperia N Pチャンネル トレンチ型 MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N， P●最大連続ドレイン電流：200 mA， 350 mA●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：1.4 Ω、4.1 Ω●最大ゲートしきい値電圧：1.1V●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V●パッケージタイプ：SOT-363 (SC-88)●実装タイプ：表面実装●ピン数：6●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：トレンチMOSFET●最大パワー消費：990 mW●標準ターンオフ遅延時間：65 ns， 69 ns●デュアルN / PチャンネルMOSFET、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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