 | |
| https://www.monotaro.com/p/4965/2716/ | 2026/05/26 14:08:03 |
 | nexperia Nexperia N Pチャンネル トレンチ型 MOSFET |
|
|
| 仕様: | チャンネルタイプ：N， P 、 最大連続ドレイン電流：200 mA， 350 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.4 Ω、4.1 Ω 、 最大ゲートしきい値電圧：1.1V 、 最低ゲートしきい値電圧：0.6V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V 、 パッケージタイプ：SOT-363 (SC-88) 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：6 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：トレンチMOSFET 、 最大パワー消費：990 mW 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 デュアルN / PチャンネルMOSFET、Nexperia |
|---|---|
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| Copyright 2000-2026 MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO（ものたろう） |