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| https://www.monotaro.com/p/4965/3364/ | 2026/10/04 06:44:34 |
 | nexperia Nexperia NPN トランジスタ |
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| 仕様: | トランジスタタイプ：NPN●最大DCコレクタ電流：2.6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧：30 V●パッケージタイプ：SOT-23●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費：1.1 W●最小DC電流ゲイン：100●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧：30 V●最大エミッタ-ベース間電圧：5 V●最大動作周波数：100 MHz●ピン数：3●1チップ当たりのエレメント数：1●最大ベース-エミッタ間飽和電圧：0.95 V●低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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