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![]() | nexperia Nexperia Nチャンネル MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:100 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:3.7 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4V 、 最低ゲートしきい値電圧:2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOT-669 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:4 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 最大パワー消費:131 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 NチャンネルMOSFET、40 → 55 V、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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