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| https://www.monotaro.com/p/4965/6925/ | 2026/07/09 04:24:13 |
![]() | nexperia Nexperia Nチャンネル MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:90 A●最大ドレイン-ソース間電圧:40 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:7.7 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-669●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●最大パワー消費:89 W●1チップ当たりのエレメント数:1●NチャンネルMOSFET、40 → 55 V、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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