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nexperia
Nexperia Nチャンネル トレンチ型 MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:335 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:8.1 Ω●最大ゲートしきい値電圧:1.3V●最低ゲートしきい値電圧:0.6V●最大ゲート-ソース間電圧:10 V●パッケージタイプ:TO-236AB●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:トレンチMOSFET●最大パワー消費:1.45 W●寸法:3 x 1.4 x 1mm |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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