|
|
| https://www.monotaro.com/p/4965/7634/ | 2026/05/08 18:03:03 |
|
nexperia
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET |
|
|
| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:120 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:830 mW●標準ターンオン遅延時間:3 ns●NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia |
|---|---|
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| Copyright 2000-2026 MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO(ものたろう) |