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| https://www.monotaro.com/p/4965/7668/ | 2026/11/07 20:42:33 |
 | nexperia Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：100 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：2 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.95V●最低ゲートしきい値電圧：1.05V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：LFPAK●実装タイプ：表面実装●ピン数：4●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：179 W●標準ターンオフ遅延時間：62 ns●NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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