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nexperia
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET |
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大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:20 A●最大ドレイン-ソース間電圧:200 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:DPAK (TO-252)●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:150 W●標準入力キャパシタンス @ Vds:2470 pF @ 25 V●NチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia |
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