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nexperia
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET |
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大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:850 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:500 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4V 、 最低ゲートしきい値電圧:2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOT-23 (TO-236AB) 、 実装タイプ:表面実装 、 トランジスタ構成:シングル 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:830 mW 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 NチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia |
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