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| https://www.monotaro.com/p/4965/8727/ | 2026/07/10 04:25:28 |
 | nexperia Nexperia PNP トランジスタ |
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| 仕様: | トランジスタタイプ：PNP 、 最大DCコレクタ電流：2 A 、 最大コレクタ- エミッタ間電圧：20 V 、 パッケージタイプ：SOT-23 (TO-236AB) 、 実装タイプ：表面実装 、 最大パワー消費：480 mW 、 最小DC電流ゲイン：150 、 トランジスタ構成：シングル 、 最大コレクタ-ベース間電圧：20 V 、 最大エミッタ-ベース間電圧：5 V 、 最大動作周波数：100 MHz 、 ピン数：3 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 動作温度 Min：-65 ℃ 、 低飽和電圧PNPトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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