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| https://www.monotaro.com/p/4965/8937/ | 2026/05/25 19:49:44 |
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nexperia
Nexperia PNP トランジスタ |
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| 仕様： | トランジスタタイプ：PNP●最大DCコレクタ電流：2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧：30 V●パッケージタイプ：SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費：480 mW●最小DC電流ゲイン：100●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧：30 V●最大エミッタ-ベース間電圧：5 V●最大動作周波数：200 MHz●ピン数：3●1チップ当たりのエレメント数：1●最大ベース-エミッタ間飽和電圧：1.1 V●低飽和電圧PNPトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 |
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| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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