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![]() | nexperia Nexperia PNP トランジスタ |
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| 仕様: | トランジスタタイプ:PNP 、 最大DCコレクタ電流:-100 mA 、 最大コレクタ- エミッタ間電圧:-45 V 、 パッケージタイプ:SOT23 、 実装タイプ:表面実装 、 最大パワー消費:250 mW 、 最小DC電流ゲイン:125 、 トランジスタ構成:シングル 、 最大コレクタ-ベース間電圧:-50 V 、 最大エミッタ-ベース間電圧:-5 V 、 最大動作周波数:100 MHz (最小) 、 ピン数:3 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 動作温度 Min:-65 ℃ |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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