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| https://www.monotaro.com/p/4965/9847/ | 2026/05/26 16:14:22 |
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nexperia
Nexperia PNP トランジスタ |
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| 仕様： | トランジスタタイプ：PNP 、 最大DCコレクタ電流：1 A 、 最大コレクタ- エミッタ間電圧：60 V 、 パッケージタイプ：UMT 、 実装タイプ：表面実装 、 最大パワー消費：415 mW 、 最小DC電流ゲイン：100 、 トランジスタ構成：シングル 、 最大コレクタ-ベース間電圧：80 V 、 最大エミッタ-ベース間電圧：5 V 、 最大動作周波数：185 MHz 、 ピン数：3 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 低飽和電圧PNPトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 |
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| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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