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| https://www.monotaro.com/p/4965/9996/ | 2026/05/25 16:41:34 |
![]() | nexperia Nexperia PNP トランジスタ |
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| 仕様: | トランジスタタイプ:PNP●最大DCコレクタ電流:5.7 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧:60 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●最大パワー消費:2.6 W●最小DC電流ゲイン:120●トランジスタ構成:シングル●最大コレクタ-ベース間電圧:-60 V●最大エミッタ-ベース間電圧:-5 V●最大動作周波数:100 MHz●ピン数:3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数:1●幅:3.7mm●低飽和電圧PNPトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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