|
|
| https://www.monotaro.com/p/4966/1098/ | 2026/05/25 15:42:51 |
|
nexperia
Nexperia Pチャンネル MOSFET |
|
|
| 仕様: | チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:4 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:36 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:0.95V●最低ゲートしきい値電圧:0.45V●最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V●パッケージタイプ:SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●最大パワー消費:415 mW●トランジスタ素材:Si●PチャンネルMOSFET、Nexperia |
|---|---|
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| Copyright 2000-2026 MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO(ものたろう) |